LPE设备（Liquid Phase Epitaxial）是一种在液相中生长薄膜晶体的设备，主要用于化合物外延膜的液相外延生长，RIG磁光铁氧体单晶材料生长等，是光电子器件研制、生产中的关键工艺装备。

主要特点The main features

◆ 自动化程度高，整个工艺过程均由工业计算机控制自动完成；

◆ 具备镀膜程序定距外延、多次外延等功能；

◆ 具备工控机本地监视控制，也可以进行远程监视控制；

◆ 具备控制箱在线UPS功能及停电断点保护程序；

◆ 具备多点温度补偿功能；

◆ 具备多种故障报警及互锁功能；

◆ 具备手动/自动，自主切换功能；

◆ 软硬件具备轴向温度标定及检测功能；

◆ 设备支持GEM/SECS/MES控制集成全自动化功能；

主要技术指标Key parameters

◆ 工作温度：800-1250℃；

◆ 温区数：5温区

◆ 生长晶圆尺寸：2-6英寸；

◆ 温控精度：±0.1℃；

◆ 恒温区：大于180mm；

◆ 恒温区上下两点温差±0.1℃

◆ 坩埚转速：5-90rpm正反转控制，精度±0.5rpm；

◆ 籽晶杆转速：10-1000rpm正反转控制，精度±0.5rpm。