设备主要特点   Features of equipments

◆ 石墨烯薄膜产能（产业化）设备

◆ 宽幅卷对卷连续生长

◆ APC系统：真空碟阀自动控制

◆ 碳源等工艺气体MFC控制

◆ 薄膜制备过程全自动控制

◆ 三腔室结构 Three chambers

◆ Graphene’s thin film production capacity(industrialization) equipment

◆ Wide-width roll to roll continuous growth

◆ APC system: Automatic control by Vacuum butterfly

◆ Carbon source etc processing gas was controlled by MFC.

◆ Automatic control of film preparation process

主要参数（可按要求定制） Main Specification( Designed by buyer’s request)

◆ 工作温度：1020~1050℃    

◆ 恒温区：1000mm、五段控温    

◆ 工艺管材质：石英管    

◆ 工艺管内径：Φ250mm    

◆ 铜箔宽度：200mm    

◆ 铜箔运行速度约:100-400mm/min，可调    

◆ 极限真空度：小于3Pa, 可恒压控制