主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件的掺杂、氧化、退火、合金及烧结等工艺，控制半导体材料的杂质分布与电特性；同时支持光电器件的热扩散、氧化工艺和高校及科研机构的微电子工艺实验教学，如热氧化、热扩散等课程设计。

核心技术优势：Core technological advantages

全自动化控制：Full Automation Controltechnological advantages

◆ 集成了 SECS/GEM标准通信接口，可无缝对接工厂自动化系统，实现设备状态实时监控、远程参数调控以及生产数据的高效交互，为智能制造提供坚实保障。

高精度温控：High- Precision Temperature Control

◆ 控温精度：±0.5，单点温度稳定性±0.5℃/24小时

◆ 支持串级控制和恒温区自动调整。

安全性与可靠性：Safety and Reliability

◆ 多重安全保护机制，包括超温报警、气体互锁、断偶报警及缓启动功能。

灵活配置：FlexibleConfiguration

◆ 支持1-4管系统，工艺管口径覆盖Φ100-400mm，适配不同生产需求。

◆ 可选手动或自动送片方式，净化台洁净度达100级（万级厂房环境）

主要参数： Main Parameters

◆ 适用硅片尺寸：4-8英寸（兼容性设计）

◆ 工作温度范围：600~1300℃（最高可控升温至1300℃）

◆ 控温精度：±0.5℃     恒温区长度 ：300-1500m

◆ 气体控MFC精度：±0.5% F.S，气路具备缓启动功能

◆ 推拉舟系统：速度范围20-1000mm/min，精度±1mm/min