主要用于集成电路、功率器件、MEMS、VCSEL等半导体器件的生产制造，主要功能在晶圆上进行扩散、氧化、退火等工艺，实现杂质的精确掺杂，构建晶体管、电阻、电容等元件，如制造 28nm及以上节点的集成电路。

核心技术优势：Core technological advantages

◆ 自动化程度高：相比卧式扩散炉更易实现自动化操作，能与天车（OHT）自动化系统配合，通过机械手等装置实现晶圆的自动上下料和传输，提高生产效率，减少人工操作带来的误差和污染。

◆ 颗粒控制好：石英舟垂直于水平面，可减少颗粒沾污，相比水平扩散炉，在工艺过程中，更有利于保持炉内环境的洁净度，降低颗粒对晶圆的污染，提高产品良率。

◆ 温度控制精准：具有高精度的温度场控制技术，能够更好地控制温度均匀性，确保晶圆上各点的工艺参数一致性，有利于提高工艺的重复性和产品质量。

◆ 操作安全性高：结构设计使得操作人员在上下料和维护过程中，接触高温部件和危险气体的风险相对较低，提高了操作的安全性。

主要参数： Main Parameters

◆ 工艺尺寸：适用于 8 英寸晶圆。

◆ 工作温度：通常在 200℃-1300℃。

◆ 恒温区长度：一般有 450mm、600mm、800mm、1100mm 等多种规格。

◆ 恒温区精度：高于±0.5℃

◆ 单点温度稳定性：在 600℃-1300℃范围内，可达到 ±0.5℃/24h。