应用于碲单质的提纯制备。在半导体行业，用于制造如碲锌镉（CdZnTe）等半导体材料所需的高纯度碲，通过碲真空蒸馏炉提纯后的碲可满足半导体制造的要求；在热电材料领域，如碲化铋（Bi2Te3）、碲化铅（PbTe）等热电材料对碲的纯度有一定要求，碲真空蒸馏炉可对碲进行提纯，以提高热电材料的性能。

主要技术指标Key parameters

◆ 温区数：4段独立控温

◆ 最高温度：1100℃

◆ 工作温度：300-1000℃

◆ 控温精度：±1℃

◆ 真空度：2*10-3 Pa

◆ 单炉产能：50kg

◆ Number of temperature zones: 4 independent temperature - controlled zones

◆ Maximum temperature: 1100℃

◆ Operating temperature: 300 - 1000℃

◆ Temperature control accuracy: ±1℃

◆ Vacuum degree: 2×10-3 Pa

◆ Single - furnace production capacity: 50 kg